Код продукта : ST-InFe2O4-5N-Cu
Мишень для распыления на основе оксида индия и железа (InFe2O4) представляет собой твердый материал, который используется в качестве источника InFe2O4 в процессах распыления. Он обычно используется для создания тонких пленок с контролируемыми электрическими свойствами, таких как магнитные материалы и каталитически активные электроды. Тонкие пленки InFe2O4 имеют потенциальное применение в различных областях, включая спинтронику, магнитные датчики и энергетические исследования.
Процесс производства мишеней для распыления InFe2O4 включает в себя приготовление порошковой смеси мишени из оксида индия (III) (In2O3) и оксида железа (III) (Fe2O3). Затем порошковая смесь уплотняется и спекается с образованием однородной мишени для распыления с высокой плотностью, чистотой и однородностью.
Во время распыления мишень подвергается бомбардировке высокоэнергетическими ионами, в результате чего атомы или ионы InFe2O4 выбрасываются с ее поверхности и осаждаются на подложке. Полученная тонкая пленка отличается высокой однородностью, а ее толщину и свойства можно точно контролировать.
Мишени для распыления InFe2O4 широко используются в исследованиях и производстве магнитных материалов, магнитных датчиков и каталитически активных электродов. Эти материалы полезны в различных приложениях, таких как хранение информации, визуализация и зондирование.
Таким образом, мишени для распыления InFe2O4 являются важными компонентами при осаждении тонких пленок для различных применений. С постоянным развитием новых технологий их потенциальное применение только растет.
Пожалуйста, свяжитесь с нами, если вам нужны индивидуальные услуги. Мы свяжемся с вами по поводу цены и наличия в течение 24 часов.
| Продукт | Код товара | Чистота | Размер | Свяжитесь с нами |
| Мишень для распыления оксида индия и железа (InFe2O4) | ST-InFe2O4-2N-Cu | 99% | Настроить | |
| Мишень для распыления оксида индия и железа (InFe2O4) | ST-InFe2O4-3N-Cu | 99.9% | Настроить | |
| Мишень для распыления оксида индия и железа (InFe2O4) | СТ-ИнФе2О4-4N-Cu | 99.99% | Настроить | |
| Мишень для распыления оксида индия и железа (InFe2O4) | ST-InFe2O4-5N-Cu | 99.999% | Настроить |
Информация о продукте
Мишень для распыления на основе оксида индия и железа (InFe2O4) представляет собой твердый материал, который используется в качестве источника InFe2O4 в процессах распыления. Он обычно используется для создания тонких пленок с контролируемыми электрическими свойствами, таких как магнитные материалы и каталитически активные электроды. Тонкие пленки InFe2O4 имеют потенциальное применение в различных областях, включая спинтронику, магнитные датчики и энергетические исследования.
Процесс производства мишеней для распыления InFe2O4 включает в себя приготовление порошковой смеси мишени из оксида индия (III) (In2O3) и оксида железа (III) (Fe2O3). Затем порошковая смесь уплотняется и спекается с образованием однородной мишени для распыления с высокой плотностью, чистотой и однородностью.
Во время распыления мишень подвергается бомбардировке высокоэнергетическими ионами, в результате чего атомы или ионы InFe2O4 выбрасываются с ее поверхности и осаждаются на подложке. Полученная тонкая пленка отличается высокой однородностью, а ее толщину и свойства можно точно контролировать.
Мишени для распыления InFe2O4 широко используются в исследованиях и производстве магнитных материалов, магнитных датчиков и каталитически активных электродов. Эти материалы полезны в различных приложениях, таких как хранение информации, визуализация и зондирование.
Таким образом, мишени для распыления InFe2O4 являются важными компонентами при осаждении тонких пленок для различных применений. С постоянным развитием новых технологий их потенциальное применение только растет.
Химическая формула:ВFe2O4
Синонимы
Феррит индия, легированный индием оксид железа
Спецификация мишени для распыления оксида индия и железа (InFe2O4)
Форма: Дисковая / Прямоугольная / Трубка
Склеивание: Открепление/Склеивание
По вашему запросу или чертежу
Мы можем настроить по мере необходимости
Размер:
| Мишени для кругового распыления | Диаметр | 1,0"2,0"3,0"4,0"5,0"6,0"до 21" |
| Прямоугольные мишени для распыления | Ширина x Длина | 5 дюймов x 12 дюймов 5 дюймов x 15 дюймов 5 дюймов x 20 дюймов 5 дюймов x 22 дюйма 6 дюймов x 20 дюймов |
| Толщина | 0.125”, 0.25” | |
Свойства (теоретические)
| Составная формула | ИнФе2O4 |
| Молекулярная масса | 290.51 |
| Внешность | Красноватая мишень |
| Точка плавления | Н/Д |
| Точка кипения | Н/Д |
| Плотность | Н/Д |
| Растворимость в H2O | Н/Д |
Требования к мишеням для распыления
Общие требования, такие как размер, плоскостность, чистота, содержание примесей, плотность, N/O/C/S, размер зерна и контроль дефектов. К специальным требованиям относятся шероховатость поверхности, значение сопротивления, однородность размера зерна, однородность состава и ткани, магнитная проводимость, сверхвысокая плотность, ультратонкие зерна и т. д.
Применение мишени для распыления оксида индия и железа (InFe2O4)
Мишень для распыления на основе оксида индия и железа (InFe2O4) в основном используется в электронной и информационной промышленности, в области нанесения покрытий на стекло, износостойких материалов, высокотемпературной коррозионной стойкости, высококачественных декоративных изделий и других отраслях промышленности.
Упаковка мишени для распыления оксида индия и железа (InFe2O4)
Стандартная упаковка:
Типичная оптовая упаковка включает в себя паллетированный пластик 5 галлонов/25 кг. ведра, бочки с фиброй и сталью до 1 тонны супермешков в полных контейнерах (FCL) или грузовиках (T/L). Исследуемые и отобранные количества, а также гигроскопичные, окисляющие или другие чувствительные к воздуху материалы могут быть упакованы в условиях аргона или вакуума. Растворы упаковываются в полипропиленовые, пластиковые или стеклянные банки объемом до 440 галлонов для жидкости на поддонах Специальная упаковка доступна по запросу.
Мишень для распыления оксида индия и железа (InFe2O4) от E FORUs тщательно обрабатывается, чтобы свести к минимуму повреждения при хранении и транспортировке и сохранить качество нашей продукции в ее первоначальном состоянии.
