Код продукта :ЭМ-SiC-NN-CU1
Являясь полупроводниковым материалом нового поколения, пластина из карбида кремния обладает уникальными электрическими свойствами и превосходными тепловыми свойствами. Благодаря физическим и электронным свойствам карбида кремния (SiC) устройства на основе SiC хорошо подходят для коротковолновых оптоэлектронных, высокотемпературных, устойчивых к излучению и мощных/высокочастотных электронных устройств по сравнению с устройствами на основе Si и GaAs.
Мы предлагаем проводящие подложки из SiC типа 6H и 4H N, а также полуизоляционные подложки из SiC 6H и 4H различных классов качества. Плотность микротруб менее 2 на см2 доступна по запросу. Устройство на основе sic используется для коротковолновых оптоэлектронных, высокотемпературных, радиационно-стойких приложений. В приложениях с высокой мощностью и высокой температурой пластина SiC больше подходит по сравнению с кремниевой пластиной и пластиной на основе GaAs.
Пластины могут быть изготовлены различной толщины и ориентации с полированными или неполированными сторонами и могут включать легирующие примеси.
E FORU предлагает лучшую цену на рынке на высококачественные пластины SiC и кристаллические подложки SiC, эпитаксию SiC диаметром до шести (6) дюймов. Доступны как N-Type, так и полуизолированные 6-дюймовые пластины SiC типа 4H.
Пожалуйста, свяжитесь с нами, если вам нужны индивидуальные услуги. Мы свяжемся с вами по поводу цены и наличия в течение 24 часов.
| Продукт | Код товара | Чистота | Размер | Свяжитесь с нами |
| Пластина из карбида кремния | ЭМ-SiC-NN-CU1 | Настроить | 2 дюйм | |
| Пластина из карбида кремния | ЭМ-SiC-NN-CU2 | Настроить | 3 дюйм | |
| Пластина из карбида кремния | ЭМ-SiC-NN-CU3 | Настроить | 4 дюйм | |
| Пластина из карбида кремния | ЭМ-SiC-NN-CU4 | Настроить | 6 дюйм | |
| Пластина из карбида кремния | ЭМ-SiC-NN-CU5 | Настроить | Настроить |
Информация о продукте
Являясь полупроводниковым материалом нового поколения, пластина из карбида кремния обладает уникальными электрическими свойствами и превосходными тепловыми свойствами. Благодаря физическим и электронным свойствам карбида кремния (SiC) устройства на основе SiC хорошо подходят для коротковолновых оптоэлектронных, высокотемпературных, устойчивых к излучению и мощных/высокочастотных электронных устройств по сравнению с устройствами на основе Si и GaAs.
Эпитаксия SiC:
Мы выполняем индивидуальную тонкопленочную эпитаксию SiC на подложках 6H или 4H для разработки устройств из карбида кремния. Пластина SiC epi в основном используется для диодов Шоттки, полевых транзисторов на основе металлоксидных полупроводников, полевых транзисторов на переходе, биполярных транзисторов с биполярным переходом, биполярных транзисторов с изолированным затвором, а также для других приложений.
Проводящие подложки из карбида кремния и полуизоляционные подложки из карбида кремния:
Мы предлагаем проводящие подложки из SiC типа 6H и 4H N, а также полуизоляционные подложки из SiC 6H и 4H различных классов качества. Плотность микротруб менее 2 на см2 доступна по запросу. Устройство на основе sic используется для коротковолновых оптоэлектронных, высокотемпературных, радиационно-стойких приложений. В приложениях с высокой мощностью и высокой температурой пластина SiC больше подходит по сравнению с кремниевой пластиной и пластиной на основе GaAs.
Пластины могут быть изготовлены различной толщины и ориентации с полированными или неполированными сторонами и могут включать легирующие примеси.
E FORU предлагает лучшую цену на рынке на высококачественные пластины SiC и кристаллические подложки SiC, эпитаксию SiC диаметром до шести (6) дюймов. Доступны как N-Type, так и полуизолированные 6-дюймовые пластины SiC типа 4H.
Синонимы
метанидилидинсиликон; Карборунд; Монокарбид кремния; Betarundum Carborundeum; силицид углерода; Зеленый денсик
Спецификация пластины из карбида кремния
Диаметр: 2 дюйма, 3 дюйма, 4 дюйма, 6 дюймов или другие
| Степень | Нулевая марка MPD | Производственная марка | Исследовательский класс | Фиктивная оценка | |
| Диаметр | 150,0 мм +/- 0,2 мм | ||||
| Толщина | 500 мкм +/- 25 мкм для 4H-SI350 мкм +/- 25 мкм для 4H-N | ||||
| Ориентация пластины | По оси: <0001> +/- 0,5 градуса для оси 4H-SIOff: 4,0 градуса <11-20> в сторону +/-0,5 градуса для 4H-N | ||||
| Плотность микротруб (MPD) | 1 см-2 | 5 см-2 | 15 см-2 | 30 см-2 | |
| Удельное электрическое сопротивление (Ом-см) | 4H-N | 0.015~0.025 | |||
| 4H-SI | >1э5 | (90%) >1Э5 | |||
| Концентрация легирующих добавок | N-тип: ~ 1E18/см3SI-тип (V-легированный): ~ 5E18/см3 | ||||
| Первичный плоский (тип N) | {10-10} +/- 5,0 град | ||||
| Основная длина плоскости (тип N) | 47,5 мм +/- 2,0 мм | ||||
| Надрез (полуизоляционный тип) | Зарубка | ||||
| Исключение краев | 3 мм | ||||
| ТТВ /Лук /Основа | 15 мкм /40 мкм /60 мкм | ||||
| Шероховатость поверхности | Польский Ra 1 нм | ||||
| CMP Ra 0,5 нм на поверхности Si | |||||
| Трескается под воздействием света высокой интенсивности | Никакой | Никакой | 1 допустимый, 2 мм | Общая длина 10 мм, одинарная длина 2 мм | |
| Шестигранные пластины под действием света высокой интенсивности* | Кумулятивная площадь 0,05 % | Кумулятивная площадь 0,05 % | Кумулятивная площадь 0,05 % | Кумулятивная площадь 0,1 % | |
| Политипные области под действием света высокой интенсивности* | Никакой | Никакой | Накопительная площадь 2% | Кумулятивная площадь 5% | |
| Царапины при ярком освещении** | 3 царапины на 1 x диаметр пластины общая длина | 3 царапины на 1 x диаметр пластины общая длина | 5 царапин на 1 x диаметр пластины общая длина | 5 царапин на 1 x диаметр пластины общая длина | |
| Кромочный чип | Никакой | 3 допустимых, по 0,5 мм каждый | Допускается 5 штук, по 1 мм | ||
| Загрязнение светом высокой интенсивности | Никакой | ||||
Примечания: * Предельные значения дефектов применимы ко всей поверхности пластины, за исключением зоны исключения краев, где присутствуют дефекты. ** Царапины проверяются только на лицевой стороне Si.
Свойства кристаллического материала из карбида кремния 4H
| Свойство | Монокристалл 4H-SiC |
| Параметры LE FORUice (Å) | А=3,076С=10,053 |
| Последовательность укладки | АВКБ |
| Плотность | 3.21 |
| Твердость по шкале Мооса | ~9.2 |
| Коэффициент теплового расширения (КЛТР) (/K) | 4-5 х 10-6 |
| Показатель преломления @750nm | Нет = 2,61NE = 2,66 |
| Диэлектрическая проницаемость | c ~ 9.66 |
| Тип легирования | N-тип или полуизолирующие |
| Теплопроводность (Вт/см-K @298K) (N-тип, 0,02 Ом-см) | А ~ 4,2 С ~ 3,7 |
| Теплопроводность (Вт/см-K @298K) (полуизоляционный тип) | А ~ 4,9 С ~ 3,9 |
| Запрещенная зона (эВ) | 3.23 |
| Электрическое поле пробоя (В/см) | 3-5 х 106 |
| Скорость дрейфа насыщения (м/с) | 2,0 х 105 |
| Размеры пластин и подложки | : 2, 3, 4, 6 дюймов; меньшие подложки: 10x10, 20x20 мм, доступны другие размеры и могут быть изготовлены по индивидуальному заказу |
| Марки продукции | Плотность микротруб нулевого класса (MPD) < 1 cm-2)Класс B Производственное содержание (MPD)< 5 cm-2)C Класс Исследовательский класс (MPD< 15 cm-2)Класс D Фиктивная степень (MPD< 30 cm-2) |
Свойства материала из карбида кремния:
| Материалы | Монокристалл 6H | Монокристалл 4H |
| Параметры LE FORUice | a=3,073 Å, c=15,117 Å | a=3,076 Å , c=10,053 Å |
| Последовательность укладки | АВКАКБ | АВКБ |
| Запрещенная зона | 3,02 эВ | 3,27 эВ |
| Плотность | 3,21 г/см3 | 3,21 г/см3 |
| Коэффициент термического расширения | 4~5×10-6/К | 4~5×10-6/К |
| Показатель преломления | no = 2,707, ne = 2,755 | no = 2,719, ne = 2,777 |
| Диэлектрическая проницаемость | 9.66 | 9.6 |
| Теплопроводность | 490 Вт/м·К | 490 Вт/м·К |
| Пробивное электрическое поле | 2 ~ 4 · 108В/м | 2 ~ 4 · 108В/м |
| Скорость дрейфа насыщения | 2.0 · 105М / сек | 2.0 · 105М / сек |
| Подвижность электронов | 400 см2/V·S | 800 см2/V·S |
| Мобильность скважины | 90 см2/V·S | 115 см2/V·S |
| Твердость по шкале Мооса | ~ 9 | ~ 9 |
Применение пластин из карбида кремния
Высокочастотный прибор
Устройство высокой мощности
Прибор для эпитаксии GaN
Высокотемпературное устройство
Оптико-электронный прибор
Светодиод светоизлучающий
Упаковка пластин из карбида кремния
Стандартная упаковка:
Типичная оптовая упаковка включает в себя паллетированный пластик 5 галлонов/25 кг. ведра, бочки с фиброй и сталью до 1 тонны супермешков в полных контейнерах (FCL) или грузовиках (T/L). Исследуемые и отобранные количества, а также гигроскопичные, окисляющие или другие чувствительные к воздуху материалы могут быть упакованы в условиях аргона или вакуума. Растворы упаковываются в полипропиленовые, пластиковые или стеклянные банки объемом до 440 галлонов для жидкости на поддонах Специальная упаковка доступна по запросу.
Пластины из карбида кремния E FORUs бережно обрабатываются, чтобы свести к минимуму повреждения при хранении и транспортировке и сохранить качество нашей продукции в ее первоначальном состоянии.
Химические идентификаторы
| Линейная формула | Так |
| CAS #: | 409-21-2 |
| Номер MDL | MFCD00049531 |
| EC No. | 206-991-8 |
| Beilstein/Reaxys No. | Н/Д |
| Pubchem CID | 9863 |
| Название ИЮПАК | метанидилидинсиликон |
| УЛЫБКИ | [C-]#[Si+] |
| Идентификатор InchI | InChI=1S /CSi/c1-2 |
| Клавиша InchI | HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N |
