Код продукта : ЭМ-СрФ3-5Н-Ку
Фторид стронция (SrF3) является широко используемым испарительным материалом при осаждении тонких пленок. Это неорганическое соединение с температурой плавления 851 °C, доступное как в виде порошка, так и в виде гранул. Он используется в различных процессах осаждения, включая распыление и химическое осаждение из газовой фазы (CVD). Он используется в производстве прозрачных проводящих пленок, как правило, на подложках из оксида индия и олова (ITO) или оксида цинка (ZnO). Этот материал хорошо подходит для нанесения пленок с высокой прозрачностью, высокой проводимостью и высокой абсорбцией. Он имеет диэлектрическую проницаемость в диапазоне от 3,2 до 3,3, что делает его полезным для производства полупроводниковых приборов. Кроме того, он часто используется в качестве легирующей примеси в процессах химического осаждения из газовой фазы (CVD). Фторид стронция также может использоваться в оптических покрытиях и используется для производства оптических диэлектрических покрытий, таких как поляризаторы.
Пожалуйста, свяжитесь с нами, если вам нужны индивидуальные услуги. Мы свяжемся с вами по поводу цены и наличия в течение 24 часов.
| Продукт | Код товара | Чистота | Размер | Свяжитесь с нами |
| Материал для испарения фторида стронция (SrF3) | ЭМ-СрФ3-2Н-Ку | 99% | Настроить | |
| Материал для испарения фторида стронция (SrF3) | ЭМ-СрФ3-3Н-Ку | 99.9% | Настроить | |
| Материал для испарения фторида стронция (SrF3) | ЭМ-СрФ3-4Н-Ку | 99.99% | Настроить | |
| Материал для испарения фторида стронция (SrF3) | ЭМ-СрФ3-5Н-Ку | 99.999% | Настроить |
Информация о продукте
Фторид стронция (SrF3) является широко используемым испарительным материалом при осаждении тонких пленок. Это неорганическое соединение с температурой плавления 851 °C, доступное как в виде порошка, так и в виде гранул. Он используется в различных процессах осаждения, включая распыление и химическое осаждение из газовой фазы (CVD). Он используется в производстве прозрачных проводящих пленок, как правило, на подложках из оксида индия и олова (ITO) или оксида цинка (ZnO). Этот материал хорошо подходит для нанесения пленок с высокой прозрачностью, высокой проводимостью и высокой абсорбцией. Он имеет диэлектрическую проницаемость в диапазоне от 3,2 до 3,3, что делает его полезным для производства полупроводниковых приборов. Кроме того, он часто используется в качестве легирующей примеси в процессах химического осаждения из газовой фазы (CVD). Фторид стронция также может использоваться в оптических покрытиях и используется для производства оптических диэлектрических покрытий, таких как поляризаторы.
Тип материала: Фторид стронция
Символ: СрФ3
Спецификация материала для испарения фторида стронция (SrF3)
Размер: Пеллета / Проволока / Пруток / Слизняк / Таблетка / Индивидуальный
По вашему запросу или чертежу
Мы можем настроить по мере необходимости
Применение материала для испарения фторида стронция (SrF3)
• Используется в процессах осаждения, включая осаждение полупроводников, химическое осаждение из газовой фазы (CVD) и физическое осаждение из газовой фазы (PVD)
• Используется для оптики, включая защиту от износа, декоративные покрытия и дисплеи.
Упаковка испарительного материала из фторида стронция (SrF3)
Стандартная упаковка:
Типичная оптовая упаковка включает в себя паллетированный пластик 5 галлонов/25 кг. ведра, бочки с фиброй и сталью до 1 тонны супермешков в полных контейнерах (FCL) или грузовиках (T/L). Исследуемые и отобранные количества, а также гигроскопичные, окисляющие или другие чувствительные к воздуху материалы могут быть упакованы в условиях аргона или вакуума. Растворы упаковываются в полипропиленовые, пластиковые или стеклянные банки объемом до 440 галлонов для жидкости на поддонах Специальная упаковка доступна по запросу. Они вакуумированы. Паспорт безопасности и листы сертификации материалов будут упакованы вместе с продуктом.
Испарительный материал фторида стронция (SrF3) компании E FORUs тщательно обрабатывается, чтобы свести к минимуму повреждения при хранении и транспортировке и сохранить качество нашей продукции в ее первоначальном состоянии.
